Температурна залежність зворотньої гілки ВАХ Al-p-CdTe-Mo структури

Автор(и)

  • А. С. Ачилов Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика-Солнце»
  • Ш. А. Мирсагатов Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика-Солнце

Ключові слова:

вольт-амперна характеристика, рекомбінаційний комплекс, телурид кадмію, фотоелемент

Анотація

Наведено результати досліджень вольт-амперної характеристики структури Al-p-CdTe-Mo з протяжною базою (w = 120 μm) залежно від температури. Доведено, що ця структура має протяжну сублінійну ділянку високого значення на зворотній вольт-амперній характеристиці, яка практично не змінює свою форму в діапазоні температур 173–373 К. Результати пояснюються в межах дифузійного та дрейфового механізмів переносу струму, що враховують можливість обміну вільними носіями всередині рекомбінаційного комплексу. 

Біографії авторів

  • автор А. С. Ачилов, афіліація Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика-Солнце»
    С.н.с.
  • автор Ш. А. Мирсагатов, афіліація Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение «Физика-Солнце
    С.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-02-24

Номер

Том 13 № 3 (2015): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Температурна залежність зворотньої гілки ВАХ Al-p-CdTe-Mo структури. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(3), 289-312. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8008

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають