Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления

Автор(и)

  • А. Ф. Дяденчук Бердянский государственный педагогический университет
  • В. В. Кидалов Бердянский государственный педагогический университет

Анотація

В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе.

Біографії авторів

  • автор А. Ф. Дяденчук, афіліація Бердянский государственный педагогический университет
    аспирант
  • автор В. В. Кидалов, афіліація Бердянский государственный педагогический университет
    профессор

Завантаження

Опубліковано

2015-04-27

Номер

Том 12 № 4 (2014): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления. (2015). Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(4), 484-486. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/1459

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають