The effect of thermal treatment on the properties of the InSe AND GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem

Authors

  • З. Д. Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства, Чернівецьке відділення
  • В. В. Шевчик, Інститут проблем матеріалознавства, Чернівецьке відділення
  • В. Б. Боледзюк Інститут проблем матеріалознавства, Чернівецьке відділення
  • В. В. Нетяга Інститут проблем матеріалознавства, Чернівецьке відділення

Keywords:

layered crystal, annealing, vanadium, cobalt, doping, impedance

Abstract

The spectral dependences of the impedance and dielectric susceptibility of the InSe and GaSe crystals doped by cobalt and vanadium selenide were investigated. The strong frequency dependence of the dielectric susceptibility of the doped GaSe<Co> crystals was established. We have shown the effect of annealing in vacuum on electrical properties of the InSe and GaSe crystals doped by cobalt and va nadium selenide as well as the dependence of the electrical resistance of the doped crystals vs. the an nealing temperature.

 

 

Author Biographies

  • З. Д. Ковалюк, Інститут проблем матеріалознавства, Чернівецьке відділення
    с.н.с.
  • В. В. Шевчик,, Інститут проблем матеріалознавства, Чернівецьке відділення
    с.н.с.
  • В. Б. Боледзюк, Інститут проблем матеріалознавства, Чернівецьке відділення
    с.н.с.
  • В. В. Нетяга, Інститут проблем матеріалознавства, Чернівецьке відділення
    с.н.с.

Downloads

Published

2017-07-05

Issue

Vol. 12 No. 2 (2014): Фізична інженерія поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe AND GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem. (2017). Journal of Surface Physics and Engineering, 12(2), 190-196. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8587

Most read articles by the same author(s)

1 2 > >>