Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом

Authors

Abstract

В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изо­бражения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. 

Author Biographies

  • З. Хайдаров, Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.
  • Х. Т. Юлдашев, Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.
  • Б. З. Хайдаров, Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.
  • С. Урмонов, Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.

Downloads

Published

2015-12-04

Issue

Vol. 13 No. 2 (2015): Фізична інженерія поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом. (2015). Journal of Surface Physics and Engineering, 13(2), 136 – 140. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4551

Most read articles by the same author(s)