Явление памяти в двухбарьерной n++pnn+-структуре

Authors

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
  • О. А. Абдулхаев Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз

Abstract

В двухбарьерной кремниевой n++pnn+-структуре в режиме запирания nn+-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память.

Author Biographies

  • А. В. Каримов, Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
    Професор
  • Д. М. Ёдгорова, Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
    Д. ф.-м. н.
  • О. А. Абдулхаев, Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
    Н. с.

Downloads

Published

2015-06-22

Issue

Vol. 12 No. 3 (2014): Фізична інженерія поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

Явление памяти в двухбарьерной n++pnn+-структуре. (2015). Journal of Surface Physics and Engineering, 12(3), 357-359. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/2855

Most read articles by the same author(s)