Electrical properties of monoselenide of india doped with vanadium selenide

Authors

  • З. Д. Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • В. Б. Боледзюк Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • В. В. Шевчик Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • О. М. Дубик Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка
  • В. М. Камінський Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення

Keywords:

indium monoselenide, vanadium selenide, substitution solution, electrical properties

Abstract

Structural features and temperature dependence electric resistance, thermoelectric power, the concentration of charge carriers and the photocurrent InSe <VSe7> was investigated. It is shown that the doping InSe of vanadium selenide the formation of a substitutional solution, with minor changes in the lattice parameters and observed nonmonotonic temperature dependence of the electrical parameters in comparison with undoped InSe.

 

 

Author Biographies

  • З. Д. Ковалюк, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
    с.н.с.
  • В. Б. Боледзюк, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
    с.н.с.
  • В. В. Шевчик, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
    с.н.с.
  • О. М. Дубик, Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка
    с.н.с.
  • В. М. Камінський, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
    с.н.с.

Downloads

Published

2012-11-12

Issue

Vol. 10 No. 4 (2012): Фізична інженерія поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

Electrical properties of monoselenide of india doped with vanadium selenide. (2012). Journal of Surface Physics and Engineering, 10(4), 448-452. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10166

Most read articles by the same author(s)

1 2 > >>