About of the possibility of quantum interferential transitions and entanglement in vacancy and divacancy of silicon

Анотація

Проаналізовані деякі характеристики дивакансії кремнію як радіаційного бістабільного дефекту з ян-теллеровською стабілізацією. Показано, що шляхом зовнішнього впливу, зміни деяких властивостей матеріалу та концентрації введених дефектів, а також виду опромінення можна цілеспрямовано впливати на параметри цих дефектних центрів, що вказує на можливість використання кремнію з такими центрами як матеріалу для створення приладів квантових інформаційних систем.
На підставі проведеного аналізу висловлюється припущення про існування за певних умов інтерференційних переходів між квантовими станами мінімумів адіабатичної енергії дивакансії. Вказується на загальність такого підходу і можливість поширення підходу, застосованого для опису таких переходів в дивакансії , на деякі інші бістабільні дефекти.