Аналіз впливу утворення силіцидів Pd на поверхневих шарах Si на дифузію атомів контакуючого металу
DOI:
https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-36Ключові слова:
атомна дифузія, омічний контакт, освітлення світловим потоком, Оже-спектр, питомий опір, напилення, світловий потік, вольт-амперна характеристикаАнотація
Методами Оже-електронної спектроскопії досліджено 4-зондові вимірювання питомого поверхневого опору, вимірювання темнових і світлих вольт-амперних характеристик, можливості використання тонкої плівки PdSi для отримання ідеальних нанорозмірних омічних контактів на поверхні Si(111). поєднання з іонним травленням поверхні. Показано, що глибина дифузії Ni в системі Ni-Si (111) становить 400 500 Å при кімнатній температурі та 70 – 80 Å в системі Ni-PdSi-Si (111). Якість омічного контакту в останньому випадку не змінюється до Т = 800 К і витримує освітленість світлового потоку до F = 1100 лк. Показано, що питомий опір плівки PdSi проходить через мінімум при Т = 900 – 1000 К. Аналіз отриманих результатів наведено в статті.
Посилання
L.L. Chang, and K. Ploog, Molecular beam epitaxy and heterostructures, Part of the book series: NSSE, vol. 87 (1985). https://doi.org/10.1007/978-94-009-5073-3
D.A. Tashmukhamedova, Izvestiya Akademii Nauk. Ser. Fizicheskaya, 70(8), 1230 (2006). https://elibrary.ru/item.asp?id=9296378. (in Russian)
Z.Yu. Gotra, Technology of microelectronic devices: Handbook, (Radio and communication, Moscow, 1986). https://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=6090709 (in Russian)
B.E. Umirzakov, Zh.Sh. Sodikjanov, D.A. Tashmukhamedova, A.A. Abduvayitov, and E. Rabbimov, Technical Physics Letters, 47(8), 620-623 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063785021060262
D.A. Tashmukhamedova, and M.B. Yusupjanova, Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 10(6). 1338-1340 (2016). https://doi.org/10.1134/S1027451016050438
L.B. Gulina, and V.P. Tolstoy, Synthesis by ion layering, in: Intl. conf. Glass and solid electrolytes, (St. Petersburg, 1999). pp. 149.
B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, and Kh.Kh. Kurbanov, Tech. Phys. 58, 841 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063784213060261
Kh.Kh. Boltaev, D.A. Tashmukhamedova, and B.E. Umirzakov, Journal of Surface Investigation. Xray, Synchrotron and Neutron Techniques, 8(2). 326 (2014). https://doi.org/10.1134/S1027451014010108
Y.S. Ergashov, D.A. Tashmukhamedova, and B. E. Umirzakov, J. Surf. Invest.: X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 11, 480 (2017). https://doi.org/10.1134/S1027451017020252
P.N. Krilov, A.B. Fedotov, and I.V. Fedotova, “The formation of Pd-Si multilayer interface during heat treatment”, Journal Chemical Physics and Mesoscopics, 17(2), 282–286 (2015). https://www.mathnet.ru/php/archive.phtml?wshow=paper&jrnid=chphm&paperid=35&option_lang=eng&ysclid=lxbrsftlbx495807277. (in Russian)
G. Li, X. Zhang, H. Lu, Yanchao, et al., Ethanol sensing properties and reduced sensor resistance using porous Nb2O5-TiO2 n-n junction nanofibers,” Sensors and Actuators B: Chemical, 283, 602-612 (2019). https://doi.org/10.1016/j.snb.2018.12.074
G.O. Silakov, E.N. Lazorkina, S.A. Gavrilov, O.V. Volovlikova, A.V. Zheleznyakova, and A.A. Dudin, Russian Microelectronics, 52, 572–576 (2023). https://doi.org/10.1134/S1063739723070259
S.V. Tomilin, and A.S. Yanovsky, Journal of Nano-and Electronic Physics, 4(1), 01013 (2012). https://core.ac.uk/reader/14056570
N.S. Boltovets, V.V. Basanets, V.N. Ivanov, V.A. Krivutsa, V.A. Fesunenko, and A.V. Tsvir, Technology and design in electronic equipment, (4), 35 (1999).
L.P. Anufriev, V.V. Baranov, Ya.A. Soloviev, and M.V. Tarasikov, Technology and design in electronic equipment, (4), 55-56, (2005). http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53610. (in Russian)
A.I. Blesman, and R.B. Burlakov, Omsk Scientific Bulletin, 1(163), (2019). https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-163-50-54
V.А. Saladukha, V.А. Pilipenko, V.А. Gorushko, and V.А. Philipenya, “The impact of formation modes of platinum silicide by the quick heat treatment on Schottky diodes parameters,” 119(1), 62-66 (2019). https://libeldoc.bsuir.by/bitstream/123456789/34383/1/Solodukha_Vliyaniye.PDF (in Russian)
T. Dong, et al., JACS Au, 3(4), 1230-1240 (2023). 10.1021/jacsau.3c00093
D.M. Muradkabilov, D.A. Tashmukhamedova, and B.E. Umirzakov, J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 7(5), 967 (2013). https://doi.org/v10.1134/S1027451013050376
B.E. Umirzakov, Poverkhn.: Fiz., Khim., Mekh. 9(2), 119 (1992) (in Russian)
N.A. Yashtulov, L.N. Patrikeev, V.O. Zenchenko, S.E. Smirnov, M.V. Lebedeva, V.R. Flid, Nanotechnol Russia, 10, 910–916 (2015). https://doi.org/10.1134/S1995078015060142
B.Y. Tsaur, Appl. Phys. Lett. 37, 708–711 (1980). https://doi.org/10.1063/1.92054
A. Schrauwen, J. Demeulemeester, A. Kumar, W. Vandervorst, C.M. Comrie, C. Detavernier, K. Temst, et al., Journal of applied physics, 114, 063518 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4818333
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
