Моделювання температурної залежності комбінованої густини станів в гетероструктурах з квантовими ямами під впливом квантуючого магнітного поля
DOI:
https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-26Ключові слова:
напівпровідник, нанорозмірні напівпровідникові структури, квантуюче магнітне поле, квантова яма, коливання, щільність енергетичних станівАнотація
У даній роботі досліджено залежність осциляції комбінованої густини станів від сильного магнітного поля в гетероструктурах на основі прямокутної квантової ями. Досліджено вплив квантуючого магнітного поля на температурну залежність комбінованої густини станів у нанорозмірних прямозонних гетероструктурах. Розроблено нову математичну модель для розрахунку температурної залежності двовимірної комбінованої щільності станів квантових ям у квантуючих магнітних полях. Запропонована модель пояснює експериментальні результати в нанорозмірних прямозонних напівпровідниках з параболічним законом дисперсії.
Посилання
U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, N.A. Sayidov, and U.M. Negmatov, East Eur. J. Phys. (1), 485fghj (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-53
U.I. Erkaboev, and R.G. Rakhimov, J. Comput. Electron. 23(2), (2024). https://doi.org/10.1007/s10825-024-02130-3
L.R. Mohan, and P.A. Wolff, Phys. Rev. 26, 6711 (1982). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.26.6711
M.L. Badgutdinov, and A.É. Yunovich, Semiconductors, 42, 429 (2008). http://dx.doi.org/10.1134/S1063782608040106
V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, and F.I. Manyakhin, Semiconductors, 33, 429 (1999). https://doi.org/10.1134/1.1187707
Sh. Bhar, and S.K. Roy, Comp. Phys. Commun. 184, 1387 (2013). https://doi.org/10.1016/j.cpc.2013.01.004
C.I. Cabrera, D.A. Contreras-Solorio, and L. Hernández, Phys. E, 76, 103 (2016). https://doi.org/10.1016/j.physe.2015.10.013
J. Hwang, and J.D. Phillips, Phys. Rev. B. 83, 195327-1 (2011). http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.195327
J. Lee, H.N. Spector, W.Ch. Chou, and Y.Sh. Huang, Phys. Rev. B, 72, 125329 (2005). http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.72.125329
D. Shen, J. Dong, J. Shen, Y. Zhang, B. Xie, G. Wu, X. Chen, et al., J. Phys. Chem. Solids, 69, 2975 (2008). https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2008.06.072
T.S. Moss, G.J. Burrel, and B. Ellis, Semiconductor opto-electronics, (Butterworth & Co. Ltd, England, 1973). https://doi.org/10.1016/C2013-0-04197-7
N.F. Mott, and E.A. Davis, Electronic processes in non-crystalline materials, (Clarendon Press, Oxford, 1971). https://doi.org/10.1063/1.3071145
A. Kulkarni, D. Guney, and A. Vora, Nanomaterials, 2013, 504341 (2013). http://dx.doi.org/10.1155/2013/504341
U.I. Erkaboev, G. Gulyamov, and R.G. Rakhimov, Indian J. Phys. 96, 2359 (2022). https://doi.org/10.1007/s12648-021-02180-4
U.I. Erkaboev, U.M. Negmatov, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, and N.A. Sayidov, Int. J. Appl. Sci. Eng. 19, 2021123 (2022). https://doi.org/10.6703/IJASE.202206_19(2).004
U.I. Erkaboev, and R.G. Rakhimov, East Eur. J. Phys. 3, 133 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-10
U.I. Erkaboev and R.G. Rakhimov, e-Prime - Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 5, 100236 (2023). https://doi.org/10.1016/j.prime.2023.100236
U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, J.I. Mirzaev, and R.G. Rakhimov, E3S Web Conf. 401, 01090 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340101090
U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, J.I. Mirzaev, and R.G. Rakhimov, E3S Web Conf. 401, 04042 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340104042
U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, and M. Abduxalimov. AIP Conf. Proc. 2789, 040055 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0145554
L.V. Grigoriev, Silicon photonics (ITMO University, St. Petersburg, 2016). (in Russian)
U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, and A. Mashrapov, AIP Conf. Proc. 2789, 040056 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0145556
U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, U.M. Negmatov and N.A. Sayidov, Ind. J. Phys. 98, 189 (2024). https://doi.org/10.1007/s12648-023-02803-y
U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, U.M. Negmatov, and N.A. Sayidov, Int. J. Mod. Phys. B. 38, 2450185 (2024). https://doi.org/10.1142/S0217979224501856
G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev and N.A. Sayidov, Mod. Phys. Lett. B. 37, 2350015 (2023), https://doi.org/10.1142/S021798492350015X
D. Schoenberg, Magnetic oscillations in metals, (Wiley, New York, 1986). http://dx.doi.org/10.1017/CBO9780511897870
L.S. Stilbans, Physics of semiconductors, (Soviet Radio, Moscow, 1967). (in Russian)
A.V. Mikhailov, A.V. Trifonov, O.S. Sultanov, I.Yu. Yugova, and I.V. Ignatiev, Semiconductors, 56, 672 (2022).
U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, N.A. Sayidov, and J.I. Mirzaev, Indian J. Phys. 2022, (2022). https://doi.org/10.1007/s12648-022-02435-8
Yu. Wang, N. Chen, Ch. Lu, and J. Chen, Phys. B, 406, 4300 (2011). https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.071
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
