Синтез TiSiN покриттів при одночасному розпиленні мішеней з Tі та Si в азот-аргоновій плазмі

Анотація

Відпрацьована методика легування TiN покриттів шляхом одночасного розпилення мішеней з Ti та Si іонами азоту і аргону, генерованими джерелом газової плазми ( ДГП ). Найбільше значення твердості ( ∼33 ГПа ) досягнуто при СSi ∼7 ваг. %. За рахунок утворення на поверхні Ti та Si стійких до розпилення сполук швидкість їх травлення знижувалася, порівняно з розпиленням в чистому аргоні, відповідно, в ∼10 та ∼7 разів. Рентгеноструктурний аналіз показав, що на поверхні Ti мішені присутній гексагональний нітрид титану (TiN0,3). На дифрактограмі Si мішені присутня тільки одна лінія Si (111). Глибина модифікованого шару для Ti становила понад 3 мкм, а для Si < 0,5 мкм.