Інжекційний фотодіод на основі nSі-nCdS-n+CdS гетероструктури

Анотація

Показано, що гетероструктури nSі-nCdS-n+CdS у пропускному напрямку струму при малих рівнях освітлення працюють як інжекційний фотодіод. Він має струмову чутливість Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm,  що в 4.2 разів перевищує спектральну чутливість ідеального фотоприймача при цій довжині хвилі випромінювання. Високі значення Sл забезпечують високу ефективність перетворення світлової енергії в електричну при малих рівнях освітленості.