Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями

Автор(и)

  • Н. Жураев Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
  • М. Халилов Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
  • С. Отажонов Ferghana State University image/svg+xml
  • Н. Алимов Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий

Ключові слова:

пікосекундна фотопровідність, напівпровідникова плівка, рекомбінація, генерація, фотонапруга, фоточутливість

Анотація

Вивчено фоточувствительность і механізм протікання струму в низьковимірних гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями. Виявлена пікосекундна фотопровідність, що свідчить про наявність великої концентрації поверхневих рекомбінаційних центрів в плівках  CdTe.

 

 

Біографії авторів

  • автор Н. Жураев, афіліація Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
    с.н.с.
  • автор М. Халилов, афіліація Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
    с.н.с.
  • автор С. Отажонов, афіліація Ferghana State University
    с.н.с.
  • автор Н. Алимов, афіліація Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-07-19

Номер

Том 2 № 1 (2017): Журнал фізики та інженерії поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 2(1), 26-29. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738