Легування кремнієм і фотоелектричні властивості тонких плівок полуторного сульфіду тулія

Автор(и)

  • З. У. Джабуа Департамент физики, Грузинский технический университет
  • М. Г. Тетелошвили Департамент физики, Грузинский технический университет
  • А. В. Гигинеишвили Департамент физики, Грузинский технический университет

Ключові слова:

плівка, легування, електроопір, термо ЕРС, фотопровідність, фото ЕРС, донорний рівень, акцепторні рівень

Анотація

Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К виміряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. До слідже но спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Висловлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рівні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію.

 

Біографії авторів

  • автор З. У. Джабуа, афіліація Департамент физики, Грузинский технический университет
    с.н.с.
  • автор М. Г. Тетелошвили, афіліація Департамент физики, Грузинский технический университет
    с.н.с.
  • автор А. В. Гигинеишвили, афіліація Департамент физики, Грузинский технический университет
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-07-05

Номер

Том 12 № 2 (2014): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Легування кремнієм і фотоелектричні властивості тонких плівок полуторного сульфіду тулія. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(2), 232-236. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8601

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають