Механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo З різною товщиною бази
Ключові слова:
плівка, бар’єр Шотткі, діодна структураАнотація
У роботі досліджується механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo, коли товщина бази w ≤ 10 μm. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al-p-CdTe-Mo з різними товщинами бази та впливу товщини бази на механізм перенесення струму. Відповідно для зразків № 1 і № 2 при щільності струму ~8,62∙10–8–4,36∙10–5A/cm2 і ~5,08∙10–7–2,44∙10–5A/cm2 результати отримані по теорії, в якій враховуються тільки дифузійні складові струму і падіння прикладених напруг на товщині бази в діодних структурах. При великій щільності струму ~4,36∙10–5–1,95 A/cm2 і ~2,44∙10–5–3,98 A/cm2, відповідно для зразків № 1 і № 2, результати отримані з теорії дрейфового механізму перенесення струму, що враховує можливість обміну вільними носіями всередині рекомбінаційного комплексу.