Тензорезистивний ефект у полікристалічних напівпровідниках з урахуванням поздовжнього і поперечного поверхневих електронних станів

Автор(и)

Ключові слова:

полікристалічні напівпровідники, імпеданс, область просторових зарядів, поздовжні і поперечні потенційні бар’єри, поверхневий стан, коефіцієнт тензочутливості

Анотація

Теоретично розраховані імпеданс і коефіцієнт тензочутливості полікристалічних напів провідників з урахуванням внеску модуляції поперечних приповерхневих областей поверхневого заряду кристалічних зерен під дією механічної деформації та впливу поперечних поверхневих станів, що приймають участь у формуванні перпендикулярних до напрямку струму потенційних бар’єрів. 

Біографії авторів

  • автор Х. М. Сулаймонов, афіліація Ferghana Polytechnical Institute
    С.н.с.
  • автор Н. Х. Юлдашев, афіліація Ferghana Polytechnical Institute
    С.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-02-24

Номер

Том 13 № 3 (2015): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Тензорезистивний ефект у полікристалічних напівпровідниках з урахуванням поздовжнього і поперечного поверхневих електронних станів. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(3), 318-324. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8010