Вплив НВЧ-опромінення на спектри фотолюмінесценції монокристалів CdTe:Cl при Т = 2 K

Автор(и)

  • С. И. Будзуляк Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Н. Д. Вахняк Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Л. А. Демчина Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Д. В. Корбутяк Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Р. В. Конакова Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • А. П. Лоцько Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • О. Б. Охрименко Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Р. А. Редько Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Н. И. Березовская Физический факультет Киевского национального университета им. Тараса Шевченко
  • Ю. В. Быков Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
  • С. В. Егоров Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
  • А. Г. Еремеев Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород

Ключові слова:

фотолюмінесценція, НВЧ-опромінення, телурид, кадмію

Анотація

Проведені дослідження спектрів низькотемпературної (Т = 2 K) фотолюмінесценції (ФЛ) монокристалів CdTe:Cl в залежності від дози НВЧ-опромінення (частота 24 ГГц) показали, що при тривалості опромінення до t = 10 c спостерігається ефект малих доз з відповідним ростом інтенсивності ФЛ усіх смуг. Опромінювання зразків в інтервалі від 10 с до 60 c призводить до складних змін в спектрах ФЛ, викликаних генерацією як випромінювальних, так і безвипромінювальних центрів. Внаслідок НВЧ-опромінення тривалістю 120 с в монокристалах CdTe:Cl формуються безвипромінювальні центри дефектного походження, що відображається в суттєвому зменшенні інтенсивності ФЛ.

Біографії авторів

  • автор С. И. Будзуляк, афіліація Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • автор Н. Д. Вахняк, афіліація Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • автор Л. А. Демчина, афіліація Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • автор Д. В. Корбутяк, афіліація Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • автор Р. В. Конакова, афіліація Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • автор А. П. Лоцько, афіліація Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • автор О. Б. Охрименко, афіліація Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • автор Р. А. Редько, афіліація Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • автор Н. И. Березовская, афіліація Физический факультет Киевского национального университета им. Тараса Шевченко
    Доцент
  • автор Ю. В. Быков, афіліація Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
    С. н. с.
  • автор С. В. Егоров, афіліація Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
    С. н. с.
  • автор А. Г. Еремеев, афіліація Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
    С. н. с.

Завантаження

Опубліковано

2017-02-16

Номер

Том 1 № 2 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Вплив НВЧ-опромінення на спектри фотолюмінесценції монокристалів CdTe:Cl при Т = 2 K. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 1(2), 128-134. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/7904