Змінювання потенційних бар’єрів низькорозмірних тонких плівок p-CdTe в умовах зовнішніх впливів

Автор(и)

Ключові слова:

фоточутливість, струм короткого замикання, потенційний бар’єр, фото-ЕРС, коронний розряд, електропровідність, глибокий рівень, вбудоване поле

Анотація

Вивчені спектри струму короткого замикання в структурі p-CdTe-SiO2-Si в залежності від величини зовнішнього впливу. Спостерігається зсув спектрів у короткохвильову область, внаслідок чого в цих структурах змінюються енергії оптичної активації глибокого рівня. Пропонується модель для розподілу потенціалу, що деформує просторовий та енергетичний розподіли носія.

Біографії авторів

  • автор Н. Э. Алимов, афіліація Ferghana State University
    Проф.
  • автор С. М. Зайнолобиддинова, афіліація Ferghana State University
    Н. с.
  • автор С. М. Отажонов, афіліація Ferghana State University
    Проф.
  • автор М. М. Халилов, афіліація Ferghana State University
    Проф.
  • автор Д. А. Юсупова, афіліація Ferghana State University
    Н. с.
  • автор Ш. Якубова, афіліація Ferghana State University
    Н. с.

Завантаження

Опубліковано

2016-06-24

Номер

Том 1 № 1 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Змінювання потенційних бар’єрів низькорозмірних тонких плівок p-CdTe в умовах зовнішніх впливів. (2016). Журнал фізики та інженерії поверхні, 1(1), 52–56. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/6093

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають