Змінювання потенційних бар’єрів низькорозмірних тонких плівок p-CdTe в умовах зовнішніх впливів
Ключові слова:
фоточутливість, струм короткого замикання, потенційний бар’єр, фото-ЕРС, коронний розряд, електропровідність, глибокий рівень, вбудоване поле
Анотація
Вивчені спектри струму короткого замикання в структурі p-CdTe-SiO2-Si в залежності від величини зовнішнього впливу. Спостерігається зсув спектрів у короткохвильову область, внаслідок чого в цих структурах змінюються енергії оптичної активації глибокого рівня. Пропонується модель для розподілу потенціалу, що деформує просторовий та енергетичний розподіли носія.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
1. Отажонов С. М. // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 2, № 1–2. — С. 28–31.
2. Вайткус Ю. Ю., Расулов Р. Я., Отажонов С. М., Орипов У. // «Поверхность» Рентгеновские синхронные и нейтронные исследования АН Россия. — Москва: «Наука». — 1999. — № 3. — С. 44–49.
3. Guerrieri R., Ciampolini P., Gnidi A., Rudan M., Baccarani G. // JEEE Transactions on Electron Devices. — 1986. — Vol. ED-33, No. 8. — P. 1201–1206.
2. Вайткус Ю. Ю., Расулов Р. Я., Отажонов С. М., Орипов У. // «Поверхность» Рентгеновские синхронные и нейтронные исследования АН Россия. — Москва: «Наука». — 1999. — № 3. — С. 44–49.
3. Guerrieri R., Ciampolini P., Gnidi A., Rudan M., Baccarani G. // JEEE Transactions on Electron Devices. — 1986. — Vol. ED-33, No. 8. — P. 1201–1206.
Опубліковано
2016-06-24
Як цитувати
Алимов, Н. Э., Зайнолобиддинова, С. М., Отажонов, С. М., Халилов, М. М., Юсупова, Д. А., & Якубова, Ш. (2016). Змінювання потенційних бар’єрів низькорозмірних тонких плівок p-CdTe в умовах зовнішніх впливів. Журнал фізики та інженерії поверхні, 1(1), 52–56. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/6093
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
