Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску
Ключові слова:
тензовластивості, компенсований кремній, концентрація носіїв, рухливість носіїв, імпульсний тиск, гідростатичний тиск, домішки нікелю, динамічний тензоефект, глибокі рівніАнотація
У роботі досліджена зміна концентрації та рухливості носіїв заряду в зразках n- і p-типу кремнію з домішкою нікелю при впливі імпульсного гідростатичного тиску й при зміні температури за допомогою електричного нагрівача вбудованого в досліджуваний зразок. Показано, що динамічний тензоефект цих зразків зв’язаний 50% від температури й 50% від коливальних ефектів кристалічної решітки зразків кремнію з домішкою нікелю.
Завантаження
Опубліковано
2012-09-29
Номер
Розділ
Статті
Ліцензія
У відповідності з типовим шаблоном.Як цитувати
Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску. (2012). Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 418-422. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162