Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску

Автор(и)

  • О. О. Маматкаримов Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
  • Р. Х. Хамидов Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
  • Р. Г. Жабборов Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
  • У. А. Туйчиев Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
  • Б. Х. Кучкаров Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан

Ключові слова:

тензовластивості, компенсований кремній, концентрація носіїв, рухливість носіїв, імпульсний тиск, гідростатичний тиск, домішки нікелю, динамічний тензоефект, глибокі рівні

Анотація

У роботі досліджена зміна концентрації та рухливості носіїв заряду в зразках n- і p-типу кремнію з домішкою нікелю при впливі імпульсного гідростатичного тиску й при зміні температури за допомогою електричного нагрівача вбудованого в досліджуваний зразок. Показано, що динамічний тензоефект цих зразків зв’язаний 50% від температури й 50% від коливальних ефектів кристалічної решітки зразків кремнію з домішкою нікелю.

 

 

Біографії авторів

  • автор О. О. Маматкаримов, афіліація Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
    с.н.с.
  • автор Р. Х. Хамидов, афіліація Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
    с.н.с.
  • автор Р. Г. Жабборов, афіліація Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
    с.н.с.
  • автор У. А. Туйчиев, афіліація Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
    с.н.с.
  • автор Б. Х. Кучкаров, афіліація Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2012-09-29

Як цитувати

Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску. (2012). Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 418-422. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162