Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа

Authors

Abstract

Приведены экспериментальные результаты исследований вольт-амперных, люкс-амперных и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизаци­онного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. В качества источника света использовался осветитель типа ОИ-24. Изменение интенсивности излучения, попадающего на вход системы, осуществлялось набором сеточных калиброванных фильтров. Рабочий диапазон спектра из­лучений и устранение фоновой засветки обеспечивались с помощью набора интерференцион­ных и полупроводниковых светофильтров.

Author Biographies

  • Х. Т. Юлдашев, Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.
  • Б. З. Хайдаров, Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.
  • Ш. С. Касымов, Ferghana Polytechnical Institute
    Н.С.

Downloads

Published

2015-12-04

Issue

Vol. 13 No. 2 (2015): Фізична інженерія поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа. (2015). Journal of Surface Physics and Engineering, 13(2), 141 – 147. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4552

Most read articles by the same author(s)