Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления

Authors

  • А. Ф. Дяденчук Бердянский государственный педагогический университет
  • В. В. Кидалов Бердянский государственный педагогический университет

Abstract

В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе.

Author Biographies

  • А. Ф. Дяденчук, Бердянский государственный педагогический университет
    аспирант
  • В. В. Кидалов, Бердянский государственный педагогический университет
    профессор

Downloads

Published

2015-04-27

Issue

Vol. 12 No. 4 (2014): Фізична інженерія поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления. (2015). Journal of Surface Physics and Engineering, 12(4), 484-486. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/1459

Most read articles by the same author(s)