Переохолодження при кристалізації вісмуту в багатошарових плівках Cu-Bi-Cu та C-Bi-C

Автор(и)

  • С. В. Дукаров Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
  • С. И. Петрушенко Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
  • В. Н. Сухов Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
  • И. Г. Чурилов Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина

Ключові слова:

переохолодження, гістерезис плавлення-кристалізація, in situ електронографія

Анотація

У роботі методами вимірювання електричного опору та in situ електронографії проведено дослідження фазових перетворень плавлення-кристалізація в тонких шарах вісмуту, що знаходяться між суцільними товстими плівками міді та вуглецю. Визначено величини максимального переохолодження рідкої фази в досліджуваних багатошарових плівках. Виявлено відмінності у кінетиці кристалізації розплаву вісмуту у мідній та вуглецевій матрицях, обумовленні різною взаємодією компонентів.

 

 

Біографії авторів

  • автор С. В. Дукаров, афіліація Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
    с.н.с.
  • автор С. И. Петрушенко, афіліація Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
    с.н.с.
  • автор В. Н. Сухов, афіліація Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
    с.н.с.
  • автор И. Г. Чурилов, афіліація Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2017-07-28

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають