Переохолодження при кристалізації вісмуту в багатошарових плівках Cu-Bi-Cu та C-Bi-C
Ключові слова:
переохолодження, гістерезис плавлення-кристалізація, in situ електронографіяАнотація
У роботі методами вимірювання електричного опору та in situ електронографії проведено дослідження фазових перетворень плавлення-кристалізація в тонких шарах вісмуту, що знаходяться між суцільними товстими плівками міді та вуглецю. Визначено величини максимального переохолодження рідкої фази в досліджуваних багатошарових плівках. Виявлено відмінності у кінетиці кристалізації розплаву вісмуту у мідній та вуглецевій матрицях, обумовленні різною взаємодією компонентів.
Завантаження
Опубліковано
2017-07-28
Номер
Розділ
Статті
Ліцензія
У відповідності з типовим шаблоном.Як цитувати
Переохолодження при кристалізації вісмуту в багатошарових плівках Cu-Bi-Cu та C-Bi-C. (2017). Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(4), 345-350. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8942