Дослідження впливу геометрії контактної металізації на процеси швидкого перемикання у структурах з базовим шаром телуриду кадмію.

Автор(и)

  • М.В. Кіріченко Старший дослідник, доцент кафедри мікро та наноелектроніки, Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут» Україна, 61002, м. Харків,вул. Кирпичова, 2 https://orcid.org/0000-0002-4847-506X (неавтентифікований)
  • А.М. Дроздов Доцент, доцент кафедри мікро та наноелектроніки, Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут» Україна, 61002, м. Харків,вул. Кирпичова, 2 https://orcid.org/0000-0002-0818-1809 (неавтентифікований)
  • Р.В. Зайцев Доцент, завідувач кафедри мікро та наноелектроніки, Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут» Україна, 61002, м. Харків,вул. Кирпичова, 2 https://orcid.org/0000-0003-2286-8452 (неавтентифікований)
  • В.О. Нікітін Науковий співробітник кафедри мікро та наноелектроніки, Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут» Україна, 61002, м. Харків,вул. Кирпичова, 2 https://orcid.org/0000-0003-1640-8986 (неавтентифікований)
  • Г.С.  Хрипунов Професор, головний науковий співробітник кафедри мікро та наноелектроніки, Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут» Україна, 61002, м. Харків,вул. Кирпичова, 2 https://orcid.org/0000-0002-6448-5938 (неавтентифікований)
  • К.О.  Мінакова Доцент, провідний науковий співробітник кафедри мікро та наноелектроніки, Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут» Україна, 61002, м. Харків,вул. Кирпичова, 2 https://orcid.org/0000-0002-8869-1082 (неавтентифікований)
  • Д.С.  Шкода Аспірант кафедри мікро та наноелектроніки, Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут» Україна, 61002, м. Харків,вул. Кирпичова, 2 https://orcid.org/0000-0002-3592-9755 (неавтентифікований)

DOI:

https://doi.org/10.26565/2222-5617-2022-36-01

Ключові слова:

імпульс; контактна металізація; телурид кадмію

Анотація

Забезпечення електромагнітної стійкості сучасного радіоелектронного обладнання тобто здатності підтримувати робочі параметри під час і після дії імпульсного електромагнітного випромінювання різного походження є важливим питанням електронної техніки та фізики. Причиною нестабільної роботи електроніки під впливом ЕМ-імпульсів є те, що у ланцюгах виникають імпульси перенапруги, що призводять до руйнування електронних приладів на основі напівпровідникових матеріалів зазвичай внаслідок теплового пробою p-n переходу, або перегріву базових шарів напівпровідникових матеріалів. В наш час відомими є ефекти резистивного перемикання які активно використовуються в сучасній електроніці, та можуть бути використані для створення елементів захисту електронної техніки від електромагнітних імпульсів із швидким наростанням фронту. Ефект резистивного перемикання у телуриді кадмію був знайдений як у товстих (понад 100 мкм) монокристалічних шарах, так і спостерігається в тонких полікристалічних плівках. Дана робота спрямована на вивчення залежностей процесів перемикання між станами з низькою і високою провідністю в плівках CdTe залежать від різних факторів, таких як товщина плівки, її початкова структура, потужність імпульсу перемикання, властивості контактної металізації. Було виготовлено вакуумними методами серію тонкоплівкових структур на основі CdTe які відрізнялись геометричними параметрами молібденової контактної металізації. Для дослідження можливого впливу геометрії контактної металізації на процеси швидкого перемикання в структурах Mo - телурид кадмію – Mo було застосовано метод вимірювання та подальшої аналітичної обробки їх амплітудно-часових характеристик із використанням спеціально розробленого генератору на основі зарядової лінії, здатного генерувати електромагнітні імпульси наносекундної тривалості із тривалістю фронту наростання не більше 2 нс. Встановлено, що для експериментальних зразків які мали діаметр металізації 0,5 мм і 6 мм, спостерігались подібні параметри - час перемикання на рівні 1-2 нс, ідентичні значення напруги відсікання та характер його залежності від амплітуди імпульсу. Визначено, що геометрія контактної металізації не впливає на параметри перемикання в структурах Mo - телурид кадмію – Mo, а значить в ході розробки елементів захисту від електромагнітних імпульсів на їх основі можна використовувати існуючу промислову технологію формування металевих шарів.

Біографія автора

  • автор Д.С.  Шкода, афіліація Аспірант кафедри мікро та наноелектроніки, Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут» Україна, 61002, м. Харків,вул. Кирпичова, 2

     

     

Завантаження

Опубліковано

2022-04-30

Як цитувати

Дослідження впливу геометрії контактної металізації на процеси швидкого перемикання у структурах з базовим шаром телуриду кадмію. (2022). Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика», 36, 7-13. https://doi.org/10.26565/2222-5617-2022-36-01