Ultrathin ZnO nanowires fabricated by using low-temperature pulsed laser deposition

Анотація

Нанодроти з ZnO використовуються в якості ключових елементів для розробки численних пристроїв, таких як світловипромінювачі, сенсори тиску газу, резонатори і багато інших. Для інтеграції нанодротів в такі пристрої потрібна висока точність в регулюванні їх діаметра. Більш того, температура зростання нанодротів грає ключову роль для їх інтеграції. Дані про особливості росту нанодротів при температурах нижче T = 550 ° C і інформація про механізми їх зростання дуже обмежені. У цій роботі доведена можливість регулювання діаметра нанодротів за допомогою використання підкладок, легованих Al або Ga. Встановлено, що варіація концентрації домішок в підкладці дозволяє оптимізувати температуру зростання нанодротів. Показано, що можуть бути виготовлені ультратонкі нанодроти з діаметром d <10 nm при температурі T = 400 ° C. Ця температура значно нижче значення, яке зазвичай використовується для зростання нанодротів методом імпульсно-лазерного осадження