Вплив нагріву носіїв заряду та фононів на контактний опір випрямляючих метал напівпровідникових структур
DOI:
https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-42Ключові слова:
потенційний бар'єр, контактний опір, температурний розподіл електронів і фононів, електронна та фононна теплопровідність, коефіцієнт неідеальності, ефект Пельтьє, тепловий ефект розміру (TSE)Анотація
Розраховано залежність температури носіїв заряду та фононів від контактного опору діода Шотткі. Показано, що збільшення контактного опору залежить від струму, що проходить через діод, поверхневого та об’ємного коефіцієнтів тепловіддачі електронів і фононів, висоти бар’єру, розмірів діода, а також механізмів розсіювання, часу релаксації енергії та імпульс.
Посилання
A. Ferrario, S. Battiston, S. Boldrini, T. Sakamoto, E. Miorin, A. Famengo, A. Miozzo, et al., Materials Today: Proceedings, 2(2), 573 (2015). https://doi.org/10.1016/j.matpr.2015.05.078
M. Shtern, M. Rogachev, Y. Shtern, D. Gromov, A. Kozlov, and I. Karavaev, J. Alloys Compd., 852, 156889 (2021). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.156889
G. Joshi, D. Mitchell, J. Ruedin, K. Hoover, R. Guzman, M. McAleer, L. Wood, et al., J. Mater. Chem. C, 7(3), 479 (2019). https://doi.org/10.1039/C8TC03147A
N.S. Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, V.F. Mitin, and E.F. Venger. Sensors Actuators A: Physical, 92(1−3), 191 (2001). https://doi.org/10.1016/S0924-4247(01)00562-3
G. Gulyamov, Q. Umarov, A. Soliyev, and B. Shahobiddinov, AIP Conference Proceedings, 2924(1), 050006 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0181554
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, et al., J. Appl. Phys. 112(6), 063703 (2012). https://doi.org/10.1063/1.4752715
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, S.A. Vitusevich, S.V. Novitskii, V.N. Sheremet, et al., Techn. Phys. Lett. 42(6), 649 (2016). https://doi.org/10.1134/S1063785016060286
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, P.N. Brunkov, V.N. Jmerik, S.V. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, et al., Semiconductors, 49(4), 461 (2015). https://doi.org/10.1134/S1063782615040193
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, L.M. Kapitanchuk, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov, et al., Semiconductors, 48(10), 1308 (2014). https://doi.org/10.1134/S106378261410025X
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.A. Pilipenko, T.V. Petlitskaya, V.M. Anischik, et al., SPQEO, 17(1), 1 (2014). http://journal-spqeo.org.ua/n1_2014/v17n1-2014-p001-006.pdf
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, and R.V. Konakova, Semiconductors, 50(6), 761 (2016). https://doi.org/10.1134/S106378261606021X
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, and R.V. Konakova, Semiconductors, 52(1), 131 (2018). https://doi.org/10.1134/S1063782618010190
D.K. Schroder, Semiconductor material and device characte-rization, 3ed. (IEEE Press, John Wiley & Sons, Inc. 2006).
G. Gulyamov, A. Gulyamov, A. Ergashev, and B. Abdulazizov, Journal of Modern Physics, 6, 1921 (2015). http://dx.doi.org/10.4236/jmp.2015.613197
G. Gulyamov, B. Shahobiddinov; A. Soliyev; Sh. Nazarov; and B. Mislidinov, AIP Conference Proceedings, 2700(1), 020016 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0124940
G. Gulyamov, K.B. Umarov, and A.Z. Soliyev. Romanian Journal of Physics, 68, 613 (2023). https://rjp.nipne.ro/2023_68_5-6/RomJPhys.68.613.pdf
S.M. Sze, and K.Ng. Kwok, Physics of Semiconductor Devices, (John Willey & Sons. Inc., New York, London, 2007).
G. Joshi, D. Mitchell, J. Ruedin, K. Hoover, R. Guzman, M. McAleer, L. Wood, et al., J. Mater. Chem. C, 7(3), 479 (2019). https://doi.org/10.1039/C8TC03147A
T. Sakamoto, Y. Taguchi, T. Kutsuwa, K. Ichimi, S. Kasatani, and M. Inada, J. Electron. Mater. 45(3), 1321 (2016). https://doi.org/10.1007/s11664-015-4022-z
Y. Thimont, Q. Lognone, C. Goupil, F. Gascoin, and E. Guilmeau, J. Electron. Mater. 43(6), 2023 (2014). https://doi.org/10.1007/s11664-013-2940-1
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, P.N. Brunkov, V.N. Jmerik, S.V. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, et al., “Temperature dependences of the contact resistivity in ohmic contacts to n+-InN,” Semiconductors, 49, 461-471 (2015). https://doi.org/10.1134/S1063782615040193
G. Gulyamov, and K.B. Umarov, Semiconductors, 28(4), 409-411 (1994).
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
