Елемент енергонезалежної пам’яті на основі квантових точок
Ключові слова:
квантова точка, флеш-пам’ять, механізм Странського-Крастанова, туннелювання, напівпровідникові сполуки III-V групи.Анотація
У роботі запропоновано перспективний елемент флеш-пам'яті який застосовує в якості комірки зберігання інформації масив самоорганізованих квантових точок використаних як проміжний шар у структурі польового транзистора з модульованим легуванням. Описано фізичні основи зберігання інформації в запропонованому елементі пам'яті. Представлена схематична структура досліджуваного елемента на основі структури GaAs / AlGaAs MODFET транзистора, а також його функціонування в режимі запису, читання, стирання і зберігання інформації. Структуру прошарку квантових точок пропонується вирощувати на основі принципу самоузгодженого зростання Странского-Крастанова Цикл перезапису в комірці пам'яті на основі квантової точки здійснюється зміною напруги на затворі, так само, як і в традиційній флеш-пам'яті.
