Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску. ЖФІП [інтернет]. 29, Вересень 2012 [цит. за 24, Жовтень 2026];10(4):418-22. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162