«Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску». Журнал фізики та інженерії поверхні 10, no. 4 (Вересень 29, 2012): 418–422. дата звернення Жовтень 24, 2026. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162.