«Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску». Журнал фізики та інженерії поверхні, вип. 10, вип. 4, Вересень 2012, с. 418-22, https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162.