[1]
«Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску», ЖФІП, вип. 10, вип. 4, с. 418–422, Вер 2012, дата звернення: Жов 24, 2026. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162