[1]
«Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями», ЖФІП, вип. 2, вип. 1, с. 26–29, Лип 2017, дата звернення: Жов 24, 2026. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738