«Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску» (2012) Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), с. 418–422. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162 (дата звернення: 24 Жовтень 2026).