«Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями» (2017) Журнал фізики та інженерії поверхні, 2(1), с. 26–29. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738 (дата звернення: 25 Жовтень 2026).