«Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску». 2012. Журнал фізики та інженерії поверхні 10 (4): 418-22. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162.