Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску. (2012). Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 418-422. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162