Основні положення теорії високолокального скануючого нвч нагріву напівпровідників і діелектриків
Ключові слова:
НВЧ, нагрів, напівпровідник, діелектрик, технологія, теорія, мікроелектроніка, поле, температура, локальність, зонд, модифікаціяАнотація
У роботі розвинуті попередні теоретичні та експериментальні дослідження локального НВЧ нагріву напівпровідників, діелектриків та біооб’єктів. У результаті сформульовані положення які оцінюють залежність кінетики та локальності нагріву від тривалості впливу НВЧ імпульсу, термодинамічних характеристик об’єкта та геометрії вістря НВЧ зонду. Показано, що при сферичній формі вістря локальність встановлення температури у приповерхневій області об’єкта під НВЧ зондом характеризується малозмінним мікронним об’ємом (порядку 1 мкм3) при радіусі сфери від 1 до, приблизно, 100 мкм. При радіусі сфери менше 1 мкм локальність стає субмікронною та покращується зі зменшенням радіуса. Тривалість впливу слабо впливає на локальність при сферичній формі вістря. При вістрі конічної форми має місце пряма залежність локальності від радіуса вістря та суттєва делокалізація зі збільшенням тривалості впливу. Окремо представленні залежності кінетики від фізичних параметрів об’єкта.
