Generation of high energy electrons in metal under the action of thermal atoms of hydrogen and deuterium from plasma

Authors

  • Д. В. Гранкін Приазовський державний технічний університет, Маріуполь
  • А. І. Бажин Науковий фізико-технологічний центр МОН і НАН України, Харків
  • В. П. Гранкін Приазовський державний технічний університет, Маріуполь

Keywords:

hydrogen, Schottky diode, electronic channel, chemico­electronic transformation

Abstract

The nature of high­energy electrons generated in thin metal films under the influence of hydrogen from hydrogen plasma is considered. It is shown that the effect is associated with the accommodation of the reaction energy via the electronic channel, and the probability of this process depends on the energy of the electronic transition in a solid. It is found a method and it is calculated the efficiency of nonadiabatic chemo­electronic energy conversion (several tens of percent) in structures for hydrogen economy based on a Schottky diode.

 

Author Biographies

  • Д. В. Гранкін, Приазовський державний технічний університет, Маріуполь
    с.н.с.
  • А. І. Бажин, Науковий фізико-технологічний центр МОН і НАН України, Харків
    с.н.с.
  • В. П. Гранкін, Приазовський державний технічний університет, Маріуполь
    с.н.с.

Published

2017-11-14

How to Cite

Generation of high energy electrons in metal under the action of thermal atoms of hydrogen and deuterium from plasma. (2017). Journal of Surface Physics and Engineering, 2(2-3), 115 – 118. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/9574