Photosensitivity and current flow mechanism in p-CdTe-SiO2-Si heterostructures with deep impurity levels

Authors

  • Н. Жураев Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
  • М. Халилов Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
  • С. Отажонов Ferghana State University image/svg+xml
  • Н. Алимов Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий

Keywords:

picosecond photoconductivity, semiconductor film, recombination, generation, photovoltage, photosensitivity

Abstract

The photosensitivity and the current flow mechanism in low-dimensional p-CdTe-SiO2-Si heterostructures with deep impurity levels are studied. A picosecond photoconductivity was  detected, which indicates the presence of a large concentration of surface recombination centers in CdTe films.

 

Author Biographies

  • Н. Жураев, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
    с.н.с.
  • М. Халилов, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
    с.н.с.
  • С. Отажонов, Ferghana State University
    с.н.с.
  • Н. Алимов, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
    с.н.с.

Downloads

Published

2017-07-19

Issue

Vol. 2 No. 1 (2017): Журнал фізики та інженерії поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

Photosensitivity and current flow mechanism in p-CdTe-SiO2-Si heterostructures with deep impurity levels. (2017). Journal of Surface Physics and Engineering, 2(1), 26-29. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738