Effect of microwave irradiation on photoluminescence spectra of CdTe:Cl single crystals at T = 2 K

Authors

  • С. И. Будзуляк Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Н. Д. Вахняк Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Л. А. Демчина Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Д. В. Корбутяк Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Р. В. Конакова Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • А. П. Лоцько Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • О. Б. Охрименко Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Р. А. Редько Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
  • Н. И. Березовская Физический факультет Киевского национального университета им. Тараса Шевченко
  • Ю. В. Быков Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
  • С. В. Егоров Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
  • А. Г. Еремеев Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород

Keywords:

photoluminescence, SHF irradiation, cadmium telluride

Abstract

The measurements of low temperature (T = 2 K) photoluminescence (PL) spectra of single crystals of CdTe: Cl, depending on the dose of microwave irradiation (at 24 GHz) were carried out. It was obtained that the effect of small doses was observed at exposure time up to t = 10 s. Corresponding increase of the photoluminescence intensity of all observed bands was detected. The irradiation of the samples in the range of 10 to 60 s leads to complex changes in PL spectra caused by the generation of both radiative and non-radiative centers. Non-radiative centers of defective origin in CdTe:Cl single crystals were formed due to microwave irradiation during 120 s, that results in a substantial decrease of the PL intensity.

Author Biographies

  • С. И. Будзуляк, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • Н. Д. Вахняк, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • Л. А. Демчина, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • Д. В. Корбутяк, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • Р. В. Конакова, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • А. П. Лоцько, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • О. Б. Охрименко, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • Р. А. Редько, Институт физики полупроводников им. В Е. Лашкарева НАН Украины
    С. н. с.
  • Н. И. Березовская, Физический факультет Киевского национального университета им. Тараса Шевченко
    Доцент
  • Ю. В. Быков, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
    С. н. с.
  • С. В. Егоров, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
    С. н. с.
  • А. Г. Еремеев, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород
    С. н. с.

Downloads

Published

2017-02-16

Issue

Vol. 1 No. 2 (2016): Журнал фізики та інженерії поверхні

Section

Статті

License

У відповідності з типовим шаблоном.

How to Cite

Effect of microwave irradiation on photoluminescence spectra of CdTe:Cl single crystals at T = 2 K. (2017). Journal of Surface Physics and Engineering, 1(2), 128-134. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/7904