Порівняльний аналіз ефектів неповної іонізації у гетеропереходах p-SiC/n-Ga₂O₃ та p GaN/n-Ga₂O₃ у діапазоні температур 77–400 K. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 07, Вересень 2026 [цит. за 23, Жовтень 2026];(3):596-607. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/29073