Аналіз ємності на основі TCAD для ідентифікації поздовжнього локалізованого заряду, захопеного оксидом, у SOI FinFETS. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 07, Вересень 2026 [цит. за 24, Жовтень 2026];(3):286-91. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/29021