Підвищення продуктивності сонячних елементів з подвійним переходом InGaP/GaAs через оптимізацію шару BSF та гетеротунельний перехід. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 03, Березень 2025 [цит. за 25, Жовтень 2026];(1):141-50. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/24467