Дослідження електронних, пружних, термоелектричних та оптичних властивостей нових напівгейслерових напівпровідників XRhZ (X = V, Nb ТА Z = Si, Ge) методом DFT. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 05, Березень 2024 [цит. за 25, Жовтень 2026];(1):294-307. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/22616