Отримання гетеропереходів N-Si-P-GaSe на основі аморфного GaSe шару без домішок та дослідження їх електричних властивостей. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 05, Березень 2024 [цит. за 25, Жовтень 2026];(1):322-6. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/22516