1.
Аналіз рентгеновської дифракції та раманівська спектроскопія поверхні Si, збагаченої GaSb, сформованої шляхом застосування методу дифузійного легування. East Eur. J. Phys. [інтернет]. 04, Вересень 2023 [цит. за 24, Жовтень 2026];(3):363-9. доступний у: https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/21928