«Порівняльний аналіз ефектів неповної іонізації у гетеропереходах p-SiC/n-Ga₂O₃ та p GaN/n-Ga₂O₃ у діапазоні температур 77–400 K». Східно-європейський фізичний журнал, no. 3 (Вересень 7, 2026): 596–607. дата звернення Жовтень 24, 2026. https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/29073.