«Аналіз ємності на основі TCAD для ідентифікації поздовжнього локалізованого заряду, захопеного оксидом, у SOI FinFETS». Східно-європейський фізичний журнал, no. 3 (Вересень 7, 2026): 286–291. дата звернення Жовтень 23, 2026. https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/29021.