«Підвищення продуктивності сонячних елементів з подвійним переходом InGaP/GaAs через оптимізацію шару BSF та гетеротунельний перехід». Східно-європейський фізичний журнал, no. 1 (Березень 3, 2025): 141–150. дата звернення Жовтень 24, 2026. https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/24467.