«Отримання гетеропереходів N-Si-P-GaSe на основі аморфного GaSe шару без домішок та дослідження їх електричних властивостей». Східно-європейський фізичний журнал, no. 1 (Березень 5, 2024): 322–326. дата звернення Жовтень 26, 2026. https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/22516.