Масштабне моделювання впливу множинних локалізованих дефектів поверхні металу на результати оптичної еліпсометрії
DOI:
https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-4-38Ключові слова:
еліпсометрія, терагерцеві хвилі, масштабне моделювання, поверхневі дефекти, локалізовані дефектиАнотація
Робота присвячена проблемі еліпсометричних досліджень реальних поверхонь і розглядає випадок, коли поверхневі неоднорідності являють собою окремі локалізовані дефекти або їх конгломерати розміром, порівняним з довжиною хвилі зондуючого випромінювання. Такі неоднорідності призводять до кутових залежностей еліпсометричних параметрів, які мають некласичний вигляд і не можуть бути описані за допомогою звичайних відомих моделей однорідних плоских шарів. Ця робота присвячена вивченню впливу конгломератів локалізованих дефектів на кутові залежності еліпсометричних параметрів і є продовженням попередніх досліджень, у яких розглядалися поодинокі локалізовані дефекти. Досліджено залежність ступеня впливу відстані між дефектами на еліпсометричні параметри. Введено параметр «критична відстань» між дефектами, за межами якого їх можна вважати локалізованими, та наведено оцінки цього параметра для розглянутих конфігурацій.
Посилання
R.M.A. Azzam, and N.M. Bashara, Ellipsometry and polarized light (North Holland, Amsterdam, 1999).
H. Fujiwara, Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications (Wiley, Chichester, 2007).
H.G. Tompkins, and W.A. McGahan, Spectroscopic Ellipsometry and Reflectometry: A User’s Guide (Wiley, Chichester, 1999).
S. Zollner, F. Abadizaman, C. Emminger, and N. Samarasingha, Adv. Opt. Technol., 11, 117 (2022), https://doi.org/10.1515/aot-2022-0016
B. Hajduk, H. Bednarski, and B. Trzebicka, J. Phys. Chem. B, 124(16), 3229 (2020). https://doi.org/10.1021/acs.jpcb.9b11863
S. Bairagi, C.-L. Hsiao, R. Magnusson, J. Birch, J.P. Chu, F.-G. Tarntair, R.-H. Horng, K. Järrendahl, Opt. Mater. Express, 12, 3284 (2022), https://doi.org/10.1364/OME.462668
M.S. Gangwar, P. Agarwal, Phys. Scr. 98, 105944 (2023). https://doi.org/10.1088/1402-4896/acf796
W. Leigh, S. Mandal, J.A. Cuenca, D. Wallis, A.M. Hinz, R.A. Oliver, E.L.H. Thomas, and O. Williams, ACS Omega, 8, 30442 (2023). https://doi.org/10.1021/acsomega.3c03609
K. Ungeheuer, K.W. Marszalek, M. Mitura-Nowak, et al., Sci Rep. 13, 22116 (2023). https://doi.org/10.1038/s41598-023-49133-x
A. Lemire, K. Grossklaus, T.E. Vandervelde, IEEE Dataport, (2024). https://dx.doi.org/10.21227/xhrd-ny57
D. Schmidt, E. Schubert, and M. Schubert, in: Ellipsometry at the Nanoscale, edited by M. Losurdo and K. Hingerl (Springer Berlin Heidelberg, 2013), pp. 341-410.
S. Bian, and O. Arteaga, Opt. Express, 31(12), 19632-19645 (2023). https://doi.org/10.1364/oe.490197
W. Yu, C. Cui, H. Li, S. Bian, and X. Chen, Photonics 9(9), 621 (2022), https://doi.org/10.3390/photonics9090621
N.C. Bruce, O.G. Rodríguez-Herrera, C.N. Ramírez, and M. Rosete-Aguilar, Appl. Opt. 60(5), 1182 (2021). https://doi.org/10.1364/AO.410003
T. V. Vorburger, and K. C. Ludema, Appl. Opt. 19(4), 561 (1980). https://doi.org/10.1364/AO.19.000561
M.G. Tchéré, S. Robert, J. Dutems, H. Bruhier, B. Bayard, Y. Jourlin, and D. Jamon, Appl. Opt. 63(14), 3876 (2024). https://doi.org/10.1364/AO.520109
G.G. Politano, and C. Versace, Spectrosc. J. 1(3), 163 (2023). https://doi.org/10.3390/spectroscj1030014
A.I. Belyaeva, A.A. Galuza, P.A. Khaimovich, et al., Phys. Metals Metallogr. 117, 1170 (2016). https://doi.org/10.1134/S0031918X16090027
A.I. Belyaeva, V.Kh. Alimov, A.A. Galuza, K. Isobe, V.G. Konovalov, I.V. Ryzhkov, A.A. Savchenko, et al., J. Nucl. Mater. 413(1), 5 (2011), https://doi.org/10.1016/j.jnucmat.2011.03.026
A.I. Belyaeva, A.A. Galuza, V.K. Kiseliov, I.V. Kolenov, A.A. Savchenko, Ye.M. Kuleshov, and S.Yu. Serebriansky, Telecommunications and Radio Engineering 74(2), 171 (2015). https://doi.org/10.1615/TelecomRadEng.v74.i2.60
N.L. Dmitruk, A.V. Goncharenko, and E.F. Venger, Optics of Small Particles and Composite Media, (Naukova Dumka, Kyiv, 2009).
O.V. Angelsky, and P.P. Maksimyak, Optical Engineering, 34(4), 973 (1995). https://doi.org/10.1117/12.197181
X. Liu, Q. Chen, J. Zeng, Y.J. Cai, and C.H. Liang, Opto-Electron Sci. 2, 220024 (2023). https://doi.org/10.29026/oes.2023.220024
M. W. Hyde, J. Opt. Soc. Am. A, 39(12), 2383 (2022). https://doi.org/10.1364/JOSAA.465457
S. Mizrakhy, in: IEEE First Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering (UKRCON, Kyiv, Ukraine, 2017), pp. 198-201, https://doi.org/10.1109/UKRCON.2017.8100473
I.A. Tishchenko, and A.I. Nosich, IEEE Microw. Mag. 4(4), 32 (2003), https://doi.org/10.1109/MMW.2003.1266065
A.A. Galuza, V.K. Kiseliov, I.V. Kolenov, A.I. Belyaeva, and Y.M. Kuleshov, IEEE Trans. THz Sci. Technol. 6(2), 183 (2016), https://doi.org/10.1109/TTHZ.2016.2525732
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
